Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
29 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.6 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.95mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,2 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 8,96
$ 0,448 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
$ 8,96
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Empaque de Producción (Rollo)
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N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
29 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.6 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.95mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
4.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,2 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto