Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.1 A, 5.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOT-26
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ, 168 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.1 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V, 14 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Ancho
1.65mm
Longitud
2.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 70,55
$ 0,118 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
600
$ 70,55
$ 0,118 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
600
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
600 - 1450 | $ 0,118 | $ 5,88 |
1500+ | $ 0,087 | $ 4,34 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.1 A, 5.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOT-26
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ, 168 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.1 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V, 14 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Ancho
1.65mm
Longitud
2.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto