MOSFET DiodesZetex DMC2038LVT-7, VDSS 20 V, ID 2,1 A, 5,2 A, TSOT-26 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.1 A, 5.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOT-26
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ, 168 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.1 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.65mm
Longitud:
2.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V, 14 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
$ 10,00
$ 0,20 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
$ 10,00
$ 0,20 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.1 A, 5.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TSOT-26
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
56 mΩ, 168 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.1 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.65mm
Longitud:
2.95mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 10 V, 14 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products