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MOSFET DiodesZetex DMC2038LVT-7, VDSS 20 V, ID 2,1 A, 5,2 A, TSOT-26 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 121-9597Marca: DiodesZetexNúmero de parte de fabricante: DMC2038LVT-7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.1 A, 5.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TSOT-26

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

56 mΩ, 168 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.1 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

2

Profundidad

1.65mm

Longitud

2.95mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 10 V, 14 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.9mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 235,32

€ 0,078 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

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N, P

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2.1 A, 5.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TSOT-26

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

56 mΩ, 168 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.1 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Número de Elementos por Chip

2

Profundidad

1.65mm

Longitud

2.95mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 10 V, 14 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Altura

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