Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 3,56
$ 0,036 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
$ 3,56
$ 0,036 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto