Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3mm
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 4,38
$ 0,044 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3mm
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto