MOSFET DiodesZetex BS250P, VDSS 45 V, ID 230 mA, Línea E de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
45 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 17,86
€ 0,446 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
40
€ 17,86
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Empaque de Producción (Cinta)
40
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
|---|---|---|
| 40 - 195 | € 0,446 | € 2,23 |
| 200 - 995 | € 0,388 | € 1,94 |
| 1000 - 1995 | € 0,334 | € 1,67 |
| 2000+ | € 0,304 | € 1,52 |
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P
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230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
45 V
Tipo de Encapsulado
Línea E
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
700 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.41mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.77mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.01mm
Temperatura Mínima de Operación
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