Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 40 V a 90 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
$ 4,93
$ 0,049 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
$ 4,93
$ 0,049 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
Estándar
100
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
100 - 900 | $ 0,049 | $ 4,93 |
1000 - 2400 | $ 0,045 | $ 4,52 |
2500 - 4900 | $ 0,042 | $ 4,24 |
5000 - 9900 | $ 0,041 | $ 4,11 |
10000+ | $ 0,04 | $ 3,97 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
13.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto