Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 470 → 670 nm, corriente Ic 20mA, mont. SMD
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Spectrum(s) Detected
Infrared
Maximum Light Current
80µA
Corriente de Oscuridad Máxima
3nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±60 °
Polarity
NPN
Número de Pines
1
Tipo de montaje
Surface Mount
Dimensiones
2.1 x 0.95 x 1.35mm
Corriente del Colector
20mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
670nm
Rango Espectral de Sensibilidad
470 → 670 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
470nm
Altura
1.35mm
Longitud
2.1mm
Profundidad
0.95mm
Datos del producto
Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
Adaptado a la sensibilidad del ojo humano (Vλ)
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
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€ 4,25
€ 0,425 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
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10
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670nm
Rango Espectral de Sensibilidad
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Mínima Longitud de Onda Detectada
470nm
Altura
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Longitud
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Profundidad
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Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
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