Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 350 → 970 nm, corriente Ic 20mA, mont. SMD, Smart DIL
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Corriente de Oscuridad Máxima
50nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±60 °
Polarity
NPN
Número de Pines
3
Tipo de montaje
Surface Mount
Encapsulado
Smart DIL
Dimensiones
2.7 x 2.1 x 1.05mm
Corriente del Colector
20mA
Rango Espectral de Sensibilidad
350 → 970 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
970nm
Longitud:
2.7mm
Profundidad
2.1mm
Tensión de saturación
100mV
Tensión del colector de emisión
0.5V
Tensión del colector de emisión
5.5 V
Altura
1.05mm
Datos del producto
Sensores de luz ambiental - Vlambda
Una gama de fototransistores de silicio NPN, de OSRAM Opto Semiconductors, con características V-Lambda mejoradas. Estos fototransistores compactos son adecuados para una gama amplia de aplicaciones incluidas: detectores de luz ambiental, fotómetros para luz de día y luz artificial, sensor para atenuación de retroiluminación y para circuitos de control y accionamiento.
Adaptado a la sensibilidad del ojo humano (Vλ)
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
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€ 922,49
€ 0,461 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Rango Espectral de Sensibilidad
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Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
970nm
Longitud:
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Profundidad
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Tensión de saturación
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Tensión del colector de emisión
0.5V
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5.5 V
Altura
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