Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. pasante, encapsulado TO-18 de 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico
850nm
Encapsulado
TO-18
Tipo de montaje
Through Hole
Función de amplificador
No
Número de Pines
1
Material del Diodo
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada
350nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Tiempo de Bajada Típico
0.012µs
Profundidad
5.5mm
Diámetro
4.8mm
Tiempo de Subida Típico
0.012µs
Corriente de cortocircuito
10µA
Polarity
Positivo
Datos del producto
Encapsulado de fotodiodo PIN TO-18
El fotodiodo PIN BPX 65, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en los encapsulados de metal TO-18. El encapsulado metálico está herméticamente sellado, lo que hace que el BPX 65 resulte ideal para aplicaciones en entornos hostiles a temperaturas de hasta 125 °C. Entre otras aplicaciones adecuadas se cuentan la electrónica industrial, los fotodetectores de alta velocidad y los circuitos de control/accionamiento.
Características de los fotodiodos PIN de silicio BPX 65:
Encapsulado metálico TO-18
Montaje de orificio pasante
Longitud de onda: de 350 a 1100 nm
Tiempo de conmutación corto
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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€ 434,64
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Máxima Longitud de Onda Detectada
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Tiempo de Bajada Típico
0.012µs
Profundidad
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Tiempo de Subida Típico
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El fotodiodo PIN BPX 65, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en los encapsulados de metal TO-18. El encapsulado metálico está herméticamente sellado, lo que hace que el BPX 65 resulte ideal para aplicaciones en entornos hostiles a temperaturas de hasta 125 °C. Entre otras aplicaciones adecuadas se cuentan la electrónica industrial, los fotodetectores de alta velocidad y los circuitos de control/accionamiento.
Características de los fotodiodos PIN de silicio BPX 65:
Encapsulado metálico TO-18
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