MOSFET Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-16 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
147 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Anchura
5.26mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.12mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 114,20
€ 2,284 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 114,20
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
50
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,284 | € 11,42 |
| 125 - 245 | € 2,066 | € 10,33 |
| 250 - 495 | € 1,945 | € 9,72 |
| 500+ | € 1,823 | € 9,12 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
PowerPAK SO-8
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
104 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-16 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.25mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
147 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Anchura
5.26mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Altura
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