Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
2.39mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
6.22mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 12,65
€ 1,265 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Información de stock no disponible temporalmente.
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VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
36000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
2.39mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
6.22mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
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