MOSFET Vishay IRFU1N60APBF, VDSS 600 V, ID 1,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 812-0660Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFU1N60APBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

36000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

2.39mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Altura

6.22mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 1,265 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

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7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

36000 mW

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Anchura

2.39mm

Material del transistor

Si

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1

Largo

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Temperatura Máxima de Operación

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Altura

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