MOSFET Vishay IRF640SPBF, VDSS 200 V, ID 18 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Anchura
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
4.83mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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1
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Tipo de Montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
180 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Anchura
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
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