Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ415EP-T1_GE3

Código de producto RS: 178-3717Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SQJ415EP-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

45000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Largo

5.99mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

63 nC a 10 V

Anchura

5mm

Material del transistor

Si

Estándar de automoción

AEC-Q101

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.07mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

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€ 1.151,13

€ 0,384 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ415EP-T1_GE3

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000€ 1.151,13
6000€ 2.302,25
9000€ 3.453,38
12000€ 4.604,51
15000€ 5.755,64
18000€ 6.906,76
21000€ 8.057,89
24000€ 9.209,02
27000€ 10.360,14
30000€ 11.511,27
33000€ 12.662,40
36000€ 13.813,52
39000€ 14.964,65
42000€ 16.115,78
45000€ 17.266,90

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P

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Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

20 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

45000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

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1

Largo

5.99mm

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Anchura

5mm

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Si

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