MOSFET STMicroelectronics PD84001, VDSS 18 V, ID 1,5 A, SOT-89 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
18 V
Tipo de Encapsulado
SOT-89
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-0.5 V, +15 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
4.6mm
Anchura
2.6mm
Altura
1.6mm
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Tipo de Montaje
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3
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Mejora
Disipación de Potencia Máxima
6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-0.5 V, +15 V
Material del transistor
Si
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1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
4.6mm
Anchura
2.6mm
Altura
1.6mm
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Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
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