MOSFET onsemi NVD5C464NT4G, VDSS 40 V, ID 59 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
59 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NVD5C464N
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Anchura
6.22mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
2.25mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
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€ 1.867,00
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Anchura
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