MOSFET onsemi NTR2101PT1G, VDSS 8 V, ID 3,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
960 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.01mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 8,02
€ 0,08 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 8,02
€ 0,08 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 200 | € 0,08 | € 4,01 |
| 250 - 450 | € 0,077 | € 3,84 |
| 500 - 950 | € 0,074 | € 3,72 |
| 1000+ | € 0,071 | € 3,55 |
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P
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3.7 A
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8 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
960 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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