MOSFET IXYS IXFP7N80P, VDSS 800 V, ID 7 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,44 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.66mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Anchura
4.83mm
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 22,97
€ 4,593 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Información de stock no disponible temporalmente.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 4,593 | € 22,96 |
| 25 - 95 | € 3,505 | € 17,52 |
| 100 - 245 | € 3,312 | € 16,56 |
| 250 - 495 | € 2,829 | € 14,15 |
| 500+ | € 2,664 | € 13,32 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,44 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.66mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Anchura
4.83mm
Altura
9.15mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
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