MOSFET Infineon SPP04N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 4 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 753-3197Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPP04N80C3XKSA1Distrelec Article No.: 30284150
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.0 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Series

CoolMOS™ C3

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,3 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

63000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.36mm

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC @ 10 V

Anchura

4.57mm

Material del transistor

Si

Altura

15.95mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 3,59

€ 1,793 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2€ 3,59
4€ 7,17
6€ 10,76
8€ 14,34
10€ 17,93
12€ 21,51
14€ 25,10
16€ 28,68
18€ 32,27
20€ 35,85
22€ 39,44
24€ 43,02
26€ 46,61
28€ 50,19
30€ 53,78

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Series

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3

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Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

63000 mW

Configuración de transistor

Single

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