MOSFET Infineon IRLMS6702TRPBF, VDSS 20 V, ID 2,4 A, Micro6 de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
Micro6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
375 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.7V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,8 nC a 4,5 V
Anchura
1.75mm
Series
HEXFET
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.3mm
País de Origen
Thailand
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Price on asking
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Micro6
Tipo de Montaje
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Conteo de Pines
6
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375 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Anchura
1.75mm
Series
HEXFET
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.3mm
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Thailand
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MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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