MOSFET Infineon IRF7343TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, 4,7 A, SO-8 de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.4 A, 4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
IRF7343PbF
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0.065 Ω, 0.17 Ω
Modo de Canal
Reducción
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4mm
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,3 nC a 10 V, 24 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.5mm
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€ 1.608,14
€ 0,402 Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
4000
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1V
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2,3 nC a 10 V, 24 nC a 10 V
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