MOSFET Infineon IRF4905LPBF, VDSS 55 V, ID 70 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Tipo de Encapsulado
I2PAK (TO-262)
Series
HEXFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.67mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Anchura
4.83mm
Material del transistor
Si
Altura
10.54mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 8,09
€ 1,617 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,617 | € 8,09 |
| 25 - 45 | € 1,326 | € 6,63 |
| 50 - 120 | € 1,244 | € 6,22 |
| 125 - 245 | € 1,164 | € 5,82 |
| 250+ | € 1,068 | € 5,34 |
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Tipo de Encapsulado
I2PAK (TO-262)
Series
HEXFET
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
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20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Largo
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Temperatura Máxima de Operación
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Material del transistor
Si
Altura
10.54mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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