MOSFET Infineon IRF1404LPBF, VDSS 40 V, ID 162 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
162 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
I2PAK (TO-262)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
3.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Anchura
4.83mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.65mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Tensión de umbral de puerta mínima
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
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MOSFET de potencia de canal N de 40 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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