Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K x 8 bits
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
16ns
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones
5.33 x 5.33 x 1.78mm
Largo
5.33mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Anchura
5.33mm
Altura
1.78mm
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
512K
Temperatura Mínima de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
€ 21,65
€ 21,65 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 21,65
€ 21,65 Each (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
1
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 4 | € 21,65 |
5 - 9 | € 19,75 |
10 - 49 | € 19,23 |
50 - 187 | € 18,74 |
188+ | € 18,27 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K x 8 bits
Tipo de Interfaz
De serie-3 Cable, DE SERIE-SPI
Ancho del Bus de Datos
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
16ns
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC
Conteo de Pines
8
Dimensiones
5.33 x 5.33 x 1.78mm
Largo
5.33mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Anchura
5.33mm
Altura
1.78mm
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Número de Bits de Palabra
8bit
Número de Palabras
512K
Temperatura Mínima de Funcionamiento
–40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2 V
Datos del producto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.