MOSFET Infineon BSC011N03LSIATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
OptiMOS™
Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.56V
Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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N
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Tipo de Encapsulado
TDSON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
96 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
5.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
1.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
0.56V
Datos del producto
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon
Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.
Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo
MOSFET Transistors, Infineon
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