Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
380 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
520 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
0.85mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 4,24
€ 0,042 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 4,24
€ 0,042 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
380 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-523 (SC-89)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
520 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
0.85mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,5 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto


