MOSFET Vishay SUP70040E-GE3 , VDSS 100 V, ID 120 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
15.49mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 16,64
€ 3,328 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,328 | € 16,64 |
| 50 - 120 | € 2,463 | € 12,31 |
| 125 - 245 | € 2,232 | € 11,16 |
| 250 - 495 | € 1,997 | € 9,98 |
| 500+ | € 1,83 | € 9,15 |
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N
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120 A
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100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.51mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
76 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
15.49mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
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Taiwan, Province Of China
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