MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 818-1352Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI5935CDC-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3,8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

1206 ChipFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

3,1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud:

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 5 V

Ancho

1.7mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 0,172

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MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
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Producción -

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20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 3,44
40€ 6,88
60€ 10,31
80€ 13,75
100€ 17,19
120€ 20,63
140€ 24,07
160€ 27,51
180€ 30,94
200€ 34,38
220€ 37,82
240€ 41,26
260€ 44,70
280€ 48,14
300€ 51,57

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Montaje superficial

Conteo de Pines

8

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156 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

3,1 W

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±8 V

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Longitud:

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