MOSFET Vishay SI2325DS-T1-E3, VDSS 150 V, ID 530 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3263Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2325DS-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

530 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,7 nC a 10 V

Anchura

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

3.04mm

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Producción -

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5

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5€ 4,90
10€ 9,80
15€ 14,71
20€ 19,61
25€ 24,51
30€ 29,41
35€ 34,32
40€ 39,22
45€ 44,12
50€ 49,02
55€ 53,93
60€ 58,83
65€ 63,73
70€ 68,63
75€ 73,53

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1.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Anchura

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Si

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