Vishay Siliconix N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SQ2364EES-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
TrenchFET
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
600 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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€ 632,28
€ 0,211 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.46V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Ancho
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Material del transistor
Si
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Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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