Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6.4e+006 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
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€ 3,46
€ 0,691 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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VSONP
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Montaje superficial
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