Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 6,36
€ 6,36 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 6,36
€ 6,36 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 4 | € 6,36 |
5 - 9 | € 6,04 |
10 - 24 | € 5,44 |
25 - 49 | € 4,89 |
50+ | € 4,65 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1500 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto