MOSFET STMicroelectronics STL110N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Profundidad
6.35mm
Material del transistor
Si
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 2,546 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Profundidad
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Material del transistor
Si
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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