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MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, VDSS 60 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 795-6944Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB60NF06LT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

STripFET II

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Profundidad

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

4.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 11,67

$ 2,335 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, VDSS 60 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 11,67
10$ 23,35
15$ 35,02
20$ 46,70
25$ 55,47
30$ 66,57
35$ 77,66
40$ 88,76
45$ 99,85
50$ 99,74
55$ 109,72
60$ 119,69
65$ 129,67
70$ 139,64
75$ 149,61

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40$ 88,76
45$ 99,85
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 20$ 2,335$ 11,68
25 - 45$ 2,219$ 11,10
50 - 120$ 1,995$ 9,97
125 - 245$ 1,795$ 8,98
250+$ 1,706$ 8,53

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N

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60 A

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60 V

Series

STripFET II

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Montaje superficial

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Profundidad

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

4.6mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

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