Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
230 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
9.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Altura
4.37mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
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P.O.A.
Estándar
5
P.O.A.
Estándar
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
230 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
9.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Altura
4.37mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China