Transistor Darlington, BDW94C, PNP 12 A, 100 V, HFE:100, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Profundidad
4.6mm
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Longitud
10.4mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 30,19
€ 0,604 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,604 | € 30,19 |
| 100 - 150 | € 0,53 | € 26,50 |
| 200 - 450 | € 0,516 | € 25,79 |
| 500 - 950 | € 0,503 | € 25,14 |
| 1000+ | € 0,491 | € 24,54 |
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Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Profundidad
4.6mm
Altura
9.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Longitud
10.4mm
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