Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.22mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Vietnam
€ 13,33
€ 1,333 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 13,33
€ 1,333 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,333 | € 13,33 |
100 - 240 | € 1,149 | € 11,49 |
250+ | € 0,996 | € 9,96 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
83 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4,2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
56000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.22mm
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.25mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Vietnam