MOSFET onsemi NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Anchura
1.35mm
Largo
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 223,35
€ 0,074 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Largo
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Si
Temperatura Máxima de Operación
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