MOSFET onsemi NTA4001NT1G, VDSS 20 V, ID 240 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
240 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Material del transistor
Si
Longitud
1.65mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
0.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.8mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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Tipo de Encapsulado
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Si
Longitud
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