Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.05 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
4.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
20 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Datos del producto
Transistores bipolares de bajo nivel de ruido, ON Semiconductor
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
€ 0,016
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 0,016
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.05 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
4.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
20 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Datos del producto