Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
1.575mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 16,84
€ 3,367 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
3.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
65 nC a 10 V
Altura
1.575mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.