Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
U-DFN1210
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
100W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
3A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Dimensiones
1.2 x 1 x 0.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Longitud
1.2mm
Altura
0.5mm
Profundidad
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
€ 12,60
€ 0,126 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 12,60
€ 0,126 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,126 | € 3,15 |
250 - 475 | € 0,109 | € 2,73 |
500 - 975 | € 0,095 | € 2,38 |
1000+ | € 0,087 | € 2,17 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Matriz compleja
Tensión Mínima de Ruptura
6V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
U-DFN1210
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
6
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
100W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
3A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
4
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Dimensiones
1.2 x 1 x 0.5mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Longitud
1.2mm
Altura
0.5mm
Profundidad
1mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Datos del producto