Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
Mini SO
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
10
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.4W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
8
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Capacitancia
1.2pF
Largo
3.1mm
Altura
0.95mm
Profundidad
3.1mm
Corriente de Prueba
8mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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€ 0,305
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
4000
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Tensión Residual Máxima
10V
Tipo de montaje
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Tipo de Encapsulado
Mini SO
Tensión de Corte Inversa Máxima
5.5V
Conteo de Pines
10
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.4W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3.1 x 3.1 x 0.95mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Capacitancia
1.2pF
Largo
3.1mm
Altura
0.95mm
Profundidad
3.1mm
Corriente de Prueba
8mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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