Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 17mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 9,47
€ 0,379 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,379 | € 9,48 |
100 - 225 | € 0,327 | € 8,17 |
250 - 475 | € 0,283 | € 7,08 |
500 - 975 | € 0,249 | € 6,24 |
1000+ | € 0,226 | € 5,66 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 17mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.