Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Profundidad
1.5mm
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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125 - 225 | $ 0,338 | $ 8,45 |
250 - 600 | $ 0,302 | $ 7,54 |
625 - 1225 | $ 0,258 | $ 6,45 |
1250+ | $ 0,197 | $ 4,91 |
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onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Profundidad
1.5mm
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.