Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
500
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
2mA
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.28mm
Altura
15.75mm
Ancho
4.82mm
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
10
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ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
500
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
2mA
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.28mm
Altura
15.75mm
Ancho
4.82mm
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
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Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.