Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
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50 - 90 | $ 0,114 | $ 1,14 |
100 - 240 | $ 0,106 | $ 1,06 |
250 - 490 | $ 0,101 | $ 1,01 |
500+ | $ 0,088 | $ 0,88 |
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NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.