Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaCorriente Máxima Directa
225mA
Configuración de diodo
Ánodo común
Número de Elementos por Chip
2
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tensión Inversa Máxima
200V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
1.25V
Capacitancia Máxima del Diodo
2pF
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
Altura
1.1mm
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
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€ 125,58
€ 0,042 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Ánodo común
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2
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Montaje superficial
Tensión Inversa Máxima
200V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
3
Caída de tensión directa máxima
1.25V
Capacitancia Máxima del Diodo
2pF
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Ancho
1.4mm
Altura
1.1mm
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia