MOSFET Infineon IPD053N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 45 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
83000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
27 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Altura
2.41mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Si
Altura
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