Transistor MOSFET Infineon IPD042P03L3 G, VDSS 30 V, ID 70 A, TO-252 de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

131 nC a 10 V

Altura

2.41mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

Malaysia